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    金年会 金字招牌诚信至上微2023SNEC上海光伏展参展巡礼
    2023.05.26

    2023年5月24-26日,SNEC第十六届(2023)国际太阳能光伏与智慧能源(上海)大会暨展览会,在上海新国际博览中心如期开展。金年会 金字招牌诚信至上微电子作为国内功率半导体的技术领先者,向来访者展示了应用于光伏、新能源的多款高性能功率模块、高能效IGBT器件以及高功率SiC器件等产品和方案。本次展品主要聚焦三大亮点:一是金年会 金字招牌诚信至上光伏储能模块产品,二是金年会 金字招牌诚信至上光伏新能源IGBT器件产品方案,三是金年会 金字招牌诚信至上SiC器件产品方案,吸引了大量现场客户和观众驻足观看和交流。


    一、金年会 金字招牌诚信至上光伏储能模块

    金年会 金字招牌诚信至上光伏储能模块产品,涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域,尤其在逆变器产品方面表现优异。


    1、工商业逆变器

    推荐产品:逆变模块(INPC)——SGM450TL7D3TFD  

    ▶  使用场合:工商业逆变模块,输出功率125kW;

    ▶  电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频650V IGBT,开关损耗小;

    ▶  封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    2、组串电站逆变器

    推荐产品:升压模块(飞夸电容boost)——SGM400DCD10D3BTFD  

    ▶  使用场合:组串电站MPPT升压,面板单路电流60A;

    ▶  电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频950V IGBT,开关损耗小;

    ▶  封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上D3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    推荐产品:逆变模块(ANPC)——SGM400TL10A7BTFD

    ▶ 使用场合:组串电站逆变模块,输出功率225kW;

    ▶ 电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频950V IGBT,开关损耗小;

    ▶封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上A7封装,采用绝缘DBC直接散热。

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    推荐产品:逆变模块(ANPC)——SGM600TL10D5TFD  

    ▶ 使用场合:组串电站逆变模块,输出功率320kW;

    ▶ 电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频950V IGBT,开关损耗小;

    ▶封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上D5封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    3、储能逆变器

    推荐产品:逆变模块(INPC)——SGM225TL12D4DTFD  

    ▶  使用场合:储能逆变模块,输出功率100kW;

    ▶  电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频1200V IGBT,开关损耗小;

    ▶  封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上D4封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    4、集中式逆变器

    推荐产品:逆变模块(半桥)——SGM800HF12A3TFD   

    ▶  使用场合:集中式逆变模块;

    ▶  电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频1200V IGBT,开关损耗小,可多并联应用;

    ▶  封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上A3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    推荐产品:逆变模块(半桥)——SGM800HF12B4TFD 

    ▶ 使用场合:集中式逆变模块;

    ▶ 电气特性:采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频1200V IGBT,开关损耗小,可多并联应用;

    ▶封装特性:采用金年会 金字招牌诚信至上A3封装,采用绝缘DBC,铜基板散热。

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    二、金年会 金字招牌诚信至上IGBT器件产品方案

    金年会 金字招牌诚信至上IGBT器件产品,随着8吋和12吋产能的建设,实现研发和工艺的显著提升,其中FS5  Trench IGBT 量产,650V IGBT合封SiC SBD 量产,车规级IGBT 量产,12吋 IGBT 量产,并且新一代工艺的IGBT和大功率 IGBT产品研发工作也在顺利推进中。

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    三、金年会 金字招牌诚信至上SiC器件产品方案

    2022年,金年会 金字招牌诚信至上在SiC器件产品的研发上取得了新的突破,650V SBD 研发成功,1200V SBD 研发成功,明镓6吋SiC晶圆量产通线,第二代1200V SiC MOS 研发成功,参数性能达到国际领先水平。


    光伏新能源应用——金年会 金字招牌诚信至上1200V 40mΩ SiC MOS

    SCDP120R040NP4B 采用金年会 金字招牌诚信至上微电子碳化硅技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效、高功率密度等特点。该产品可广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器等领域。

    特点:

      ▶ 66A,1200V,RDS(on)(typ.)=40mΩ@VGS=15V

      ▶ 碳化硅技术

      ▶ 开关损耗低

      ▶ 低反向恢复电荷

      ▶ 降低散热要求

      ▶ 100%雪崩测试

      ▶ 无铅管脚镀层

      ▶ 符合RoHS环保标准


    光伏新能源应用——金年会 金字招牌诚信至上1200V 30A SiC SBD

    SCDP30S120P2 采用金年会 金字招牌诚信至上微电子碳化硅外延工艺制造而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、不间断和辅助电源、光伏逆变器等领域。

    特点:

     ▶ 30A,1200V

     ▶ 零反向恢复电流

     ▶ 正温度系数

     ▶ 低开关损耗

     ▶ 散热要求低


    四、现场掠影

    金年会 金字招牌诚信至上微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累,以及不断强化的工艺平台开发能力,不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力,为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案,助力产业的蓬勃发展。

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